ఉత్పత్తులు

ఫీచర్ చేయబడిన ఉత్పత్తులు

అన్ని కొత్త ఉత్పత్తులు

50um InGaAs అవలాంచె ఫోటోడియోడ్ చిప్

50um InGaAs అవలాంచె ఫోటోడియోడ్ చిప్ అనేది రివర్స్ వోల్టేజ్ యొక్క అప్లికేషన్ ద్వారా ఉత్పత్తి చేయబడిన అంతర్గత లాభంతో ఫోటోడియోడ్. అవి ఫోటోడియోడ్‌ల కంటే ఎక్కువ సిగ్నల్-టు-నాయిస్ రేషియో (SNR)ని కలిగి ఉంటాయి, అలాగే వేగవంతమైన సమయ ప్రతిస్పందన, తక్కువ డార్క్ కరెంట్ మరియు అధిక సున్నితత్వాన్ని కలిగి ఉంటాయి. స్పెక్ట్రల్ ప్రతిస్పందన పరిధి సాధారణంగా 900 - 1650nm లోపల ఉంటుంది.

విచారణ పంపండి

ఉత్పత్తి వివరణ

1. 50um InGaAs హిమపాతం ఫోటోడియోడ్ చిప్ యొక్క సారాంశం

50um InGaAs అవలాంచె ఫోటోడియోడ్ చిప్ అనేది రివర్స్ వోల్టేజ్ యొక్క అప్లికేషన్ ద్వారా ఉత్పత్తి చేయబడిన అంతర్గత లాభంతో ఫోటోడియోడ్. అవి ఫోటోడియోడ్‌ల కంటే ఎక్కువ సిగ్నల్-టు-నాయిస్ రేషియో (SNR)ని కలిగి ఉంటాయి, అలాగే వేగవంతమైన సమయ ప్రతిస్పందన, తక్కువ డార్క్ కరెంట్ మరియు అధిక సున్నితత్వాన్ని కలిగి ఉంటాయి. స్పెక్ట్రల్ ప్రతిస్పందన పరిధి సాధారణంగా 900 - 1650nm లోపల ఉంటుంది.

2. 50um InGaAs అవలాంచె ఫోటోడియోడ్ చిప్ పరిచయం

3. 50um InGaAs అవలాంచె ఫోటోడియోడ్ చిప్ యొక్క లక్షణాలు

900nm-1650nm పరిధిని గుర్తించండి;

అతి వేగం;

అధిక ప్రతిస్పందన;

తక్కువ కెపాసిటెన్స్;

తక్కువ డార్క్ కరెంట్;

టాప్ ఇల్యూమినేటెడ్ ప్లానార్ స్ట్రక్చర్.

4. 50um InGaAs అవలాంచె ఫోటోడియోడ్ చిప్ అప్లికేషన్

పర్యవేక్షణ;

ఫైబర్-ఆప్టిక్ ఇన్స్ట్రుమెంట్స్;

డేటా కమ్యూనికేషన్స్.

5. 50um InGaAs అవలాంచె ఫోటోడియోడ్ చిప్ యొక్క సంపూర్ణ గరిష్ట రేటింగ్‌లు

పరామితి	చిహ్నం	విలువ	యూనిట్
గరిష్ట ఫార్వర్డ్ కరెంట్	-	10	mA
గరిష్ట వోల్టేజ్ సరఫరా	-	VBR	V
నిర్వహణా ఉష్నోగ్రత	టాప్	-40 నుండి +85 వరకు	℃
నిల్వ ఉష్ణోగ్రత	Tstg	-55 నుండి +125 వరకు	℃

6. ఎలక్ట్రో-ఆప్టికల్ క్యారెక్టరిస్టిక్స్(T=25â„ƒ) 50um InGaAs అవలాంచె ఫోటోడియోడ్ చిప్

పరామితి	చిహ్నం	పరిస్థితి	కనిష్ట	టైప్ చేయండి.	గరిష్టంగా	యూనిట్
తరంగదైర్ఘ్యం పరిధి	λ		900	-	1650	nm
బ్రేక్డౌన్ వోల్టేజ్	VBR	Id =10uA	40	-	52	V
VBR యొక్క ఉష్ణోగ్రత గుణకం	-	-	-	0.12	-	V/â„ƒ
రెస్పాన్సివిటీ	R	VR =VBR -3V	10	13	-	A/W
డార్క్ కరెంట్	ID	VBR -3V	-	0.4	10.0	nA
కెపాసిటెన్స్	C	VR =38V, f=1MHz	-	8	-	pF
బ్యాండ్‌విత్	Bw	-	-	2.0	-	GHz

7. 50um InGaAs అవలాంచె ఫోటోడియోడ్ చిప్ యొక్క డైమెన్షన్ పరామితి

పరామితి	చిహ్నం	విలువ	యూనిట్
క్రియాశీల ప్రాంతం వ్యాసం	D	53	అమ్మో
బాండ్ ప్యాడ్ వ్యాసం	-	65	అమ్మో
డై సైజు	-	250x250	అమ్మో
డై మందం	t	150 ± 20	అమ్మో

8. డెలివరీ, షిప్పింగ్ మరియు 50um InGaAs అవలాంచ్ ఫోటోడియోడ్ చిప్ అందించడం

షిప్పింగ్ చేయడానికి ముందు అన్ని ఉత్పత్తులు పరీక్షించబడ్డాయి;

అన్ని ఉత్పత్తులకు 1-3 సంవత్సరాల వారంటీ ఉంటుంది.(నాణ్యత హామీ వ్యవధి తర్వాత తగిన నిర్వహణ సేవా రుసుమును వసూలు చేయడం ప్రారంభించింది.)

మేము మీ వ్యాపారాన్ని అభినందిస్తున్నాము మరియు తక్షణ 7 రోజుల రిటర్న్ పాలసీని అందిస్తాము. (అంశాలను స్వీకరించిన 7 రోజుల తర్వాత);

మీరు మా స్టోర్ నుండి కొనుగోలు చేసే వస్తువులు ఖచ్చితమైన నాణ్యతను కలిగి ఉండకపోతే, అవి తయారీదారుల స్పెసిఫికేషన్‌లకు ఎలక్ట్రానిక్‌గా పని చేయకపోతే, వాటిని భర్తీ చేయడానికి లేదా వాపసు కోసం మాకు తిరిగి ఇవ్వండి;

వస్తువులు లోపభూయిష్టంగా ఉంటే, దయచేసి డెలివరీ అయిన 3 రోజులలోపు మాకు తెలియజేయండి;

రీఫండ్ లేదా రీప్లేస్‌మెంట్ కోసం అర్హత సాధించడానికి ఏదైనా ఐటెమ్‌లను వాటి అసలు స్థితిలోనే తిరిగి ఇవ్వాలి;

షిప్పింగ్ ఖర్చులన్నింటికీ కొనుగోలుదారు బాధ్యత వహిస్తాడు.

8. తరచుగా అడిగే ప్రశ్నలు

ప్ర: మీరు ఏ యాక్టివ్ ఏరియాను కోరుకుంటున్నారు?

A: మేము 50um 200um 500um క్రియాశీల ప్రాంతం InGaAs Avalanche Photodiode Chipని కలిగి ఉన్నాము.

ప్ర: కనెక్టర్ కోసం అవసరం ఏమిటి?

జ: బాక్స్ ఆప్ట్రానిక్స్ మీ అవసరాలకు అనుగుణంగా అనుకూలీకరించవచ్చు.

హాట్ ట్యాగ్‌లు: 300um InGaAs ఫోటోడియోడ్ చిప్, తయారీదారులు, సరఫరాదారులు, హోల్‌సేల్, ఫ్యాక్టరీ, అనుకూలీకరించిన, బల్క్, చైనా, మేడ్ ఇన్ చైనా, చౌక, తక్కువ ధర, నాణ్యత